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三星计划 2021 年建成第三所综合性半导体工厂

(来源:网站编辑 2020-06-23 15:39)
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IT之家6月23日消息  据Korea (South)媒体ETNEWS报道,三星电子plan新建一家大型半导体f演员y。鉴于面积比last增加了 50% 以上,因此,它采用"综合半导体f演员y"的形式,同时生产 DRAM、NAND 闪存和其他器件,并有望引入最新的工艺技术。据悉,"P3"plan于今年9月在平泽动工,于2021年finish。

▲ 三星电子平泽工业区航空摄影 图源三星电子官网

IT之家了解到,三星电子此前在平泽已有名为"P1"和"P2"的半导体f演员y,其中“P2”于去年完工。

据业内人士21日透露,三星电子正准备在平泽建设一所更大的的半导体f演员y“P3”,预计今年9月动工。目前三星电子对于该厂的建设已经做了大量前期准备。

目前三星最大的半导体f演员y“P2”长度为400米,据报道“P3”的长度将达到700米。“P3”预计将在明年8月前后finish,并在生产线调试finish后试生产,从2021年底start量产最新工艺的芯片,包括生产图像传感器、DRAM、NAND 和SoC处理器等半导体器件。

报道称,三星电子的目标是在2030年成为非内存半导体市场的领头者。

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